Um problema relacionado ao fenômeno de interferência quântica em um sistema nanoestruturado é investigado através do estudo da segregação de impurezas substitucionais. Tais sistemas são formados pela justaposição de camadas de átomos de metais de transição. A segregação de impurezas substitucionais é tratada a partir do cálculo da variação da energia eletrônica total do sistema, considerando as posições da impureza relativamente à superfície. Empregamos o modelo de ligações fortes, com apenas um orbital por sítio, sendo os potenciais das impurezas determinados de modo a satisfazer a neutralidade de carga através da regra de soma de Friedel. Consideramos uma rede cúbica simples e as direções (100) e (110).

A problem related to the quantum interference phenomenon in a nanostructured system is investigated by studying the segregation of substitutional impurities. Such systems are formed by the juxtaposition of transition metals atomic layers. The substitutional impurities segregation is treated calculating the total electronic energy variation of the system considering di←erent positions of the impurity relatively to the surface. A single orbital tight-binding model is employed. The potential impurities are determined imposing local or global charge neutrality and satisfying Friedel sum rule. We consider a simple cubic lattice with (100) and (110) directions.