RESUMO: A adição de silício (Si) aos meios de cultura tem apontado melhor desenvolvimento das plântulas cultivadas in vitro e redução das perdas durante a fase de aclimatização. Objetivou-se avaliar cinco concentrações de SiO2 (0,0; 0,5; 1,0; 1,5 e 2,0 g·L−1) em meio de cultura MS sobre o crescimento in vitro da orquídea Cattleya forbesii. Aos 200 dias, avaliou-se as variáveis: número de raízes, comprimento médio do sistema radicular, área foliar, número de folhas e de brotos, altura da parte aérea, massa fresca e seca de raízes e de parte aérea, conteúdo de água das raízes e da parte aérea, e pH final dos meios de cultura. Para a maioria das variáveis avaliadas observou-se decréscimo em função do aumento da concentração de Si, reduzindo o desenvolvimento vegetativo in vitro da C. forbesii. Além disso, detectou-se acúmulo de Si nos tecidos foliares por meio da microscopia eletrônica de varredura, confirmando a absorção deste pelas plântulas. Para o crescimento in vitro da espécie estudada, a fonte e concentrações de Si testadas, não apresentaram efeito benéfico.

ABSTRACT: Addition of Silicon (Si) to culture media has been shown to improve the development of seedlings grown in vitro, and to reduce losses during the acclimatization phase. The objective of this study was to evaluate the in vitro growth of Cattleya forbesii (Orchidaceae) in MS medium containing five different concentrations of SiO2 (0.0, 0.5, 1.0, 1.5, and 2.0 g·L−1). At day 200, the following variables were measured: number of roots, average length of the root system, leaf area, number of leaves and shoots, shoot height, fresh and dry masses of roots and shoots, water content of roots and shoots, and pH of the culture medium. Most variables decreased as the concentration of Si increased, reducing the in vitro vegetative growth of C. forbesii. Accumulation of Si in leaf tissues was detected by scanning electron microscopy, confirming uptake by plants. The Si source and concentrations tested showed no beneficial effect on in vitro growth of C. forbesii.