Materiais do tipo BiMeVOX são muito atrativos para aplicações em baixas temperaturas quando a condutividade iônica for o parâmetro determinante. A ocorrência de muitos tipos de substituições foi confirmada para numerosos íons Me, dentre os quais, existe um grande interesse no estudo de materiais BiCuVOX. O objetivo deste estudo foi realizar o imageamento das barreiras de potencial em uma amostra de material BiCuVOX. A amostra foi sinterizada 4 h a 750 °C e apresentou alta densidade. Imagens da superfície topográfica e de microscopia de força elétrica (EFM) foram obtidas simultaneamente em um microscópio de varredura por sonda. Os experimentos EFM mostraram um mapa da distribuição do campo elétrico na superfície do material BiCuVOx. A formação da barreira de potencial foi observada e tanto a largura quanto a altura foram medidas.

The BiMeVOX materials appear being high attractive for applications at low temperatures when the ionic conductivity is the determining parameter. The occurrence of many types substitution was confirmed for numerous Me ions, but the greatest interest have been focused on the BiCuVOX materials. The objective of this study was to image the potential barriers in BiCuVOX. The sample was sintered for 4 h at 750 °C and the results show that the high density compound can be obtained. Simultaneously, topography and electric force microscopy (EFM) images are viewed side-by-side. EFM experiments were performed and the results show the maps of the electric field distribution on the surface of BiCuVOX. The formation of potential barrier was observed and the width and intensity were measured.

A microscopia de força eletrostática (EFM) foi usada para sondagem direta do potencial na superfície do titanato de bário dopado, o qual é cerâmica semicondutora. As medidas de EFM foram realizadas no modo não contato, mantendo a distância ponta-amostra de 75 nm constante, mas variando a voltagem bias aplicada à amostra de zero a 10 V. A distribuição do potencial na amostra mostrou mudanças em regiões próximas ao contorno de grão, exibindo largura de barreira constante de 145,2 nm.

Electrostatic force microscopy (EFM) was used to directly probe surface potential in doped barium titanate semiconducting ceramics. EFM measurements were performed using noncontact scans at a constant tip-sample separation of 75 nm with varied bias voltages applied to the sample. The applied voltage was mapped up to 10 V and the distribution of potential across the sample showed changes in regions that matched the grain boundaries, displaying a constant barrier width of 145.2 nm.

As hexaferritas de bário são óxidos ferrimagnéticos hexagonais que atraem grandes interesses científicos, tecnológicos e industriais como uso de magneto permanente. A hexaferrita de bário usada neste trabalho foi preparada usando um processo de moagem de alta energia seguido de tratamento térmico. Imagens do comportamento magnético foram estudadas utilizando-se microscopia de força magnética, com campo magnético externo aplicado progressivamente, onde se observa que os domínios magnéticos tornam-se mais intensos e definidos com o aumento da intensidade do campo magnético aplicado.

The structure of magnetic domains in barium hexaferrite was investigated using magnetic force microscopy through the application of an external magnetic field. The material was obtained by sintering of powders processed by high-energy milling. The surface magnetic domains structures were determined using magnetic force microscopy and it was observed that increasing the applied magnetic field, the domains became more intense and defined, showing sizes around 2.9 µm, when a magnetic field of 8.40 kOe was applied.