Estudaram-se as propriedades semicondutoras de filmes passivos formados em aço inoxidável AISI 304 e em ligas de base Ni (Alloy 600) em soluções tampão de borato. Os filmes foram estudados por medidas de capacidade (Mott-Schottky ) e de fotocorrente. Estudaram-se também filmes formados em aço inoxidável AISI 304 por oxidação ao ar, à temperatura de 350ºC. Os resultados mostram que a estrutura electrónica dos filmes é comparável à de uma heterojunção do tipo p-n, onde as cargas de espaço desenvolvidas nas interfaces filme -- metal e filme -- electrólito devem ser consideradas. O estudo electroquímico está de acordo com os resultados analíticos que demonstram que os filmes de óxido são, em todos os casos, compostos por uma região interna rica em óxido de crómio e por uma região externa rica em óxido de ferro.
