As heterojunções de SiC em isolante, conhecidas como SiCOI (SiC-on-insulator), ao combinar as vantagens do SiC e do substrato de Si mostram-se interessantes para aplicações em altas temperaturas, alta potência, altas freqüências, sensores inteligentes, e aplicações micro-mecânicas. Neste trabalho pesquisamos as propriedades de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-Si1-xCx:H) depositado por PECVD em substratos de silício e silício coberto por uma camada isolante, antes e após o recozimento térmico para a cristalização do filme. Devido a seu grande interesse em aplicações optoeletrônicas foram pesquisadas quatro tipos de isolantes diferentes: SiO2 térmico obtido a altas temperaturas (1100 ºC), SiO2, SiOxNy, e Si3N4 obtidos por PECVD a baixa temperatura (320 ºC). A análise de infravermelho nas amostras como depositadas mostra que o filme depositado em substrato de silício coberto por Si3N4 possui uma melhor coordenação entre os átomos de Si e C. O recozimento térmico realizado conduz à cristalização de todos os filmes amorfos depositados. As medidas Raman exibem a vibração referente ao C-C somente para os filmes depositados sobre isolantes PECVD, depois de recozidos. Os resultados da análise de DRX mostram que os filmes depositados em substrato de Si(100) e Si(100) coberto com SiO2 térmico apresentam orientação cristalina preferencial na direção (100), enquanto os filmes depositados em substrato de silício coberto com isolantes PECVD apresentam uma banda larga associada com a difração do H-SiC(10L) e do 3C-SiC(111).
