Resumen

FORHAN, Neisy A. E.; FANTINI, Márcia C. A.  y  PEREYRA, Inés. Characterization of Si_1-xC_x:H thin films deposited by PECVD for SiCOI heterojuntion fabrication. J. Braz. Chem. Soc. [online]. 2006, vol.17, n.6, pp. 1158-1162. ISSN 0103-5053.  http://dx.doi.org/10.1590/S0103-50532006000600013.

As heterojunções de SiC em isolante, conhecidas como SiCOI (SiC-on-insulator), ao combinar as vantagens do SiC e do substrato de Si mostram-se interessantes para aplicações em altas temperaturas, alta potência, altas freqüências, sensores inteligentes, e aplicações micro-mecânicas. Neste trabalho pesquisamos as propriedades de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-Si_1-xC_x:H) depositado por PECVD em substratos de silício e silício coberto por uma camada isolante, antes e após o recozimento térmico para a cristalização do filme. Devido a seu grande interesse em aplicações optoeletrônicas foram pesquisadas quatro tipos de isolantes diferentes: SiO₂ térmico obtido a altas temperaturas (1100 ºC), SiO₂, SiO_xN_y, e Si₃N₄ obtidos por PECVD a baixa temperatura (320 ºC). A análise de infravermelho nas amostras como depositadas mostra que o filme depositado em substrato de silício coberto por Si₃N₄ possui uma melhor coordenação entre os átomos de Si e C. O recozimento térmico realizado conduz à cristalização de todos os filmes amorfos depositados. As medidas Raman exibem a vibração referente ao C-C somente para os filmes depositados sobre isolantes PECVD, depois de recozidos. Os resultados da análise de DRX mostram que os filmes depositados em substrato de Si(100) e Si(100) coberto com SiO₂ térmico apresentam orientação cristalina preferencial na direção (100), enquanto os filmes depositados em substrato de silício coberto com isolantes PECVD apresentam uma banda larga associada com a difração do H-SiC(10L) e do 3C-SiC(111).

Palabras llave : silicon carbide; PECVD; infrared spectroscopy; Raman spectroscopy; X-ray diffraction.