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Journal of the Brazilian Chemical Society

versión impresa ISSN 0103-5053versión On-line ISSN 1678-4790

Resumen

SUCASAIRE, Wilmer et al. Raman and infrared spectroscopy studies of carbon nitride films prepared on Si (100) substrates by ion beam assisted deposition. J. Braz. Chem. Soc. [online]. 2006, vol.17, n.6, pp.1163-1169. ISSN 0103-5053.  http://dx.doi.org/10.1590/S0103-50532006000600014.

Filmes de nitreto de carbono, preparados por deposição assistida por feixe de íons, foram estudados pela espectroscopia de Raman e infravermelho, em função de energia de íons (200, 400, e 600 eV) e razão de chegada de íon a átomo R(I/A) de 0,9 a 2,5. A razão de composição N/C no filme, determinada por análise de detecção de recuo elástico, foi encontrada proporcional a R(I/A); porém, a formação de filme é possível somente se R(I/A) for menor do que um valor crítico da eficiência de "sputtering" químico. Esse valor encontrado foi de 0,21. O valor máximo de N/C obtido foi de 0,9 (47% atômica de nitrogênio) para o filme depositado com 400 eV. Para entender o efeito de incorporação de nitrogênio na estrutura dos filmes, os parâmetros foram determinados pela análise dos espectros Raman e encontrados fortes dependências da quantidade de nitrogênio nos filmes; os comportamentos da posição e da largura do pico G, e da razão ID/IG são correlacionados com as mudanças estruturais nos filmes.

Palabras clave : carbon nitride; Raman spectroscopy; infrared spectroscopy; ion beam deposition.

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