SciELO - Scientific Electronic Library Online

 
vol.17 número6Characterization of Si1-xCx:H thin films deposited by PECVD for SiCOI heterojuntion fabricationMesoporous carbons prepared by nano-casting with meso- or non-porous silica nanoparticles índice de autoresíndice de materiabúsqueda de artículos
Home Pagelista alfabética de revistas  

Journal of the Brazilian Chemical Society

versión impresa ISSN 0103-5053

Resumen

SUCASAIRE, Wilmer et al. Raman and infrared spectroscopy studies of carbon nitride films prepared on Si (100) substrates by ion beam assisted deposition. J. Braz. Chem. Soc. [online]. 2006, vol.17, n.6, pp. 1163-1169. ISSN 0103-5053.  http://dx.doi.org/10.1590/S0103-50532006000600014.

Filmes de nitreto de carbono, preparados por deposição assistida por feixe de íons, foram estudados pela espectroscopia de Raman e infravermelho, em função de energia de íons (200, 400, e 600 eV) e razão de chegada de íon a átomo R(I/A) de 0,9 a 2,5. A razão de composição N/C no filme, determinada por análise de detecção de recuo elástico, foi encontrada proporcional a R(I/A); porém, a formação de filme é possível somente se R(I/A) for menor do que um valor crítico da eficiência de "sputtering" químico. Esse valor encontrado foi de 0,21. O valor máximo de N/C obtido foi de 0,9 (47% atômica de nitrogênio) para o filme depositado com 400 eV. Para entender o efeito de incorporação de nitrogênio na estrutura dos filmes, os parâmetros foram determinados pela análise dos espectros Raman e encontrados fortes dependências da quantidade de nitrogênio nos filmes; os comportamentos da posição e da largura do pico G, e da razão ID/IG são correlacionados com as mudanças estruturais nos filmes.

Palabras llave : carbon nitride; Raman spectroscopy; infrared spectroscopy; ion beam deposition.

        · resumen en Inglés     · texto en Inglés     · pdf en Inglés