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Brazilian Dental Journal

Print version ISSN 0103-6440

Abstract

COSTA, Ana Rosa et al. Effect of bonding material, etching time and silane on the bond strength of metallic orthodontic brackets to ceramic. Braz. Dent. J. [online]. 2012, vol.23, n.3, pp. 223-227. ISSN 0103-6440.  http://dx.doi.org/10.1590/S0103-64402012000300007.

O objetivo neste estudo foi avaliar a resistência de união de bráquetes a cerâmica feldspática com diferentes tempos de condicionamento ácido, materiais de união, com ou sem aplicação do silano. Cilindros de cerâmica feldspática foram condicionados com ácido fluorídrico 10% por 20 ou 60 s. Para cada tempo de condicionamento, metade dos cilindros recebeu duas camadas de silano. Bráquetes metálicos foram fixados aos cilindros utilizando Transbond XT (3M Unitek) ou Fuji Ortho LC (GC). A fotoativação foi realizada com tempo de exposição total de 40 s utilizando LED UltraLume 5. O ensaio de resistência ao cisalhamento foi realizado após 24 h de armazenagem. Os dados foram submetidos à Análise de Variância a três fatores e teste de Tukey (α=0,05). O Índice de Remanescente Adesivo (IRA) foi utilizado para avaliar a quantidade de adesivo remanescente na superfície cerâmica com magnificação de 8×. Os espécimes condicionados por 60 s apresentaram maior resistência de união comparado com 20 s. A aplicação do silano foi efetiva no aumento da resistência de união ao cisalhamento de bráquetes com a cerâmica para ambos os materiais. O Transbond XT mostrou resistência de união significativamente maior que Fuji Orth LC. O IRA mostrou predominância de escore 0 (ausência de resina na superfície cerâmica) para todos os grupos, com aumento de escores 1, 2 e 3 (aumento da presença de resina na superfície cerâmica) para o tempo de condicionamento de 60 s. Em conclusão, o tempo de condicionamento de 60 s, aplicação de silano e resina Transbond XT melhoraram significativamente a resistência de união ao cisalhamento de bráquetes a cerâmica feldspática.

Keywords : orthodontic bracket; ceramic; silane; acid etching.

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