Resumo

BERNARDI, M. I. B. et al. Influência dos parâmetros de crescimento de filmes finos de TiO₂ depositados pelo método MOCVD. Cerâmica [online]. 2002, vol.48, n.305, pp. 38-42. ISSN 0366-6913.  http://dx.doi.org/10.1590/S0366-69132002000100009.

A síntese de filmes finos de TiO₂ foi feita pelo método de deposição química do vapor de organometálicos (MOCVD). Foi estudada a influência de parâmetros de deposição usados durante o crescimento, nas características estruturais finais. Foi feita uma combinação de vários parâmetros experimentais: temperatura do banho do organometálico, tempo de deposição, e temperatura e tipo do substrato. A forte influência destes parâmetros na microestrutura final do filme foi analisada por microscopia eletrônica de varredura com espectroscopia de raios X dispersiva de elétrons, microscopia de força atômica e difração de raios X.

Palavras-chave : compostos organometálicos; filmes finos.