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Cerâmica

Print version ISSN 0366-6913On-line version ISSN 1678-4553

Abstract

PU, Y.; CHEN, W.; CHEN, S.  and  LANGHAMMER, Hans T.. Microestrutura e propriedades dielétricas de cerâmicas de titanato de bário dopado com disprósio. Cerâmica [online]. 2005, vol.51, n.319, pp.214-218. ISSN 0366-6913.  http://dx.doi.org/10.1590/S0366-69132005000300007.

Foram estudados o comportamento da substituição e o parâmetro de rede de titanato de bário da solubilidade sólida com uma concentração de dopante na faixa 0,25-1,5 mol%. As influências da fração do dopante disprósio no tamanho de grão e nas propriedades dielétricas da cerâmica de titanato de bário, incluindo constante dielétrica e rigidez dielétrica foram investigadas por meio de microscopia eletrônica de varredura, difração de raios X e teste de propriedades elétricas. Os resultados mostram que a uma concentração de disprósio de 0,75 mol% o crescimento anormal de grão é inibido e os parâmetros de rede aumentam até um máximo devido a menor concentração de vacâncias. Além disso, as cerâmicas de grãos pequenos e alta densidade resultam em excelentes propriedades dielétricas. A constante dielétrica relativa (25 °C) atinge um valor de 4100. O coeficiente de temperatura da capacitância varia de -10 a 10% na faixa de temperatura de -15 °C a 100 °C, e o valor de rigidez dielétrica (corrente alternada) atinge 3,2 kV/mm. Estes resultados sugerem que o titanato de bário preparado pode ser usado na fabricação de capacitores de alta voltagem.

Keywords : dopagem com disprósio; microestrutura e propriedades; cerâmica de titanato de bário.

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