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Cerâmica

versión impresa ISSN 0366-6913

Resumen

SCALVI, L. V. A. et al. Resistividade do filme depositado via sol-gel e estado de oxidação do dopante Ce na matriz SnO2. Cerâmica [online]. 2011, vol.57, n.343, pp. 225-230. ISSN 0366-6913.  http://dx.doi.org/10.1590/S0366-69132011000300019.

Incorporação de Ce3+ ou Ce4+ em filmes finos de SnO2 depositados via sol-gel-dip-coating aumenta drasticamente a resistividade elétrica. No primeiro caso, temos comportamento aceitador do dopante, levando a matriz à alta compensação de carga. Por outro lado, para Ce4+, verifica-se aumento na largura da região de depleção do contorno de grão, resultando em maior espalhamento de elétrons. Medidas de caracterização elétrica sob pressão ambiente levam à barreiras de potencial mais altas do que as medidas sob vácuo, devido a adsorção de oxigênio na superfície das partículas. A presença de Ce3+ aumenta a transmitância no infravermelho, o que significa menor quantidade de elétrons livres. Dados de XANES confirmam que o tratamento térmico a 550 ºC dos filmes, ainda que promova oxidação parcial para Ce4+, preserva uma quantidade significativa (em torno de 60%) no estado Ce3+. Espectroscopia Raman mostra a evolução dos modos de vibração intra-grãos de SnO2 com o aumento da temperatura de tratamento térmico.

Palabras llave : dióxido de estanho; filmes finos; cério; terras-raras; transporte elétrico.

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