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Rem: Revista Escola de Minas

Print version ISSN 0370-4467On-line version ISSN 1807-0353

Abstract

JOUAN, Pierre Yves; TRICOTEAUX, Arnaud  and  HORNY, Nicolas. Elaboration of nitride thin films by reactive sputtering. Rem: Rev. Esc. Minas [online]. 2006, vol.59, n.2, pp.225-232. ISSN 0370-4467.  http://dx.doi.org/10.1590/S0370-44672006000200013.

O objetivo desse artigo, em um primeiro momento, é uma melhor compreensão da vaporização em um ambiente magnetron reativo DC e as suas conseqüências, tais como o efeito da histeresis e o processo de instabilidade. A segunda parte desse trabalho está dedicada a um estudo de caso: o nitreto de alumínio. Filmes finos de nitreto de alumínio foram depositados por vaporização triodo reativa. Estudamos o efeito dos teores de nitrogênio, na descarga, e da voltagem RF(bias), no crescimento dos filmes de AlN em Si(100) depositados por vaporização triodo. A estequiometria e a orientação cristalina dos filmes de AlN foram caracterizadas por espectroscopia infravermelha em transformada de Fourier, difração de raios X e microscopia de elétrons secundários. Camadas densas e transparentes de AlN foram obtidas em altas taxas de deposição. Independentemente do conteúdo em nitrogênio na descarga, os filmes têm uma orientação (002), mas, para um teor de 10%, obteve-se a melhor cristalização.Uma relação linear foi observada entre o parâmetro de rede c (perpendicular à superfície do substrato) do AlN e as tensões compressivas planas.A aplicação de um "bias" RF ao substrato leva a uma textura (100) e os filmes tornam-se amorfos. Além disso, a tensão compressiva aumenta atingindo valores de até 8Gpa antes de diminuírem lentamente na medida em que o "bias" aumenta.

Keywords : vaporização em ambiente magnetron reativo DC; nitreto de alumínio; taxas de deposição.

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