Se estudiaron las características eléctricas de películas delgadas de óxido de aluminio preparadas por la técnica de rocío pirolítico ultrasónico. Las películas delgadas se depositaron a partir de una solución de acetilacetonato de aluminio en N,N-dimetilformamida sobre substratos monocristalinos de GaAs (100) tipo-p. La temperatura de depósito fue de 300 a 600 ºC. Las propiedades eléctricas de las películas en función de la temperatura de substrato se determinaron por medidas de capacitancia y corriente contra voltaje mediante la incorporación de las películas en estructuras tipo MOS (metal-óxido-semiconductor). La densidad de estados de interfaz resultó del orden de 10(12) 1/eV-cm² y el dispositivo MOS soportó campos eléctricos mayores a 5MV/cm, sin mostrar rompimiento dieléctrico. El índice de refracción se determinó por elipsometría a 633nm, con un valor máximo del orden de 1.64.
Estructuras MOS; transistor de efecto de campo (FET); materiales dieléctricos; propiedades eléctricas e interfases
