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Electrical and magnetic properties of new compounds of the conductor anion [Ni(dmit)2]- and nitronyl nitroxide magnetic radicals

Propriedades elétricas e magnéticas de novos compostos com o ânion condutor [Ni(dmit)2]- e radicais magnéticos nitronil nitróxido

Abstract

Three compounds have been synthesized with formulae [3-MeRad][Ni(dmit)2] (1), [4-MeRad][Ni(dmit)2] (2) and [4-PrRad][Ni(dmit)2] (3) where [Ni(dmit)2]- is an anionic pi-radical (dmit = 1,3-dithiol-2-thione-4,5-dithiolate) and [3-MeRad]+ is 3-N-methylpyridinium alpha-nitronyl nitroxide, [4-MeRad]+ is 4-N-methylpyridinium alpha-nitronyl nitroxide and [4-PrRad]+ is 4-N-propylpyridinium alpha-nitronyl nitroxide. The temperature-dependent magnetic susceptibility of 1 revealed that an antiferromagnetic interaction operates between the 3-MeRad+ radical cations with exchange coupling constants of J1 = - 1.72 cm-1 and antiferromagnetism assigned to the spin ladder chains of the Ni(dmit)2 radical anions. Compound 1 exhibits semiconducting behavior and 3 presents capacitor behavior in the temperature range studied (4 - 300 K).

semiconductor; magnetism; dmit


ARTIGO

Propriedades elétricas e magnéticas de novos compostos com o ânion condutor [Ni(dmit)2]- e radicais magnéticos nitronil nitróxido

Electrical and magnetic properties of new compounds of the conductor anion [Ni(dmit)2]- and nitronyl nitroxide magnetic radicals

Mauro Cesar DiasI,* * e-mail: maurocesar@cefetes.br ; Humberto Osório StumpfII; Maria Terezinha Caruso SansivieroII; Jean Michel PernautII,† † in memoriam ; Tulio MatencioII; Marcelo KnobelIII; Danielle CangussuIV

ICoordenadoria de Ciências e Tecnologias Químicas, Centro Federal de Educação Tecnológica, Av. Vitória, 1729, 29040-780 Vitória – ES, Brasil

IIDepartamento de Química, Instituto de Ciências Exatas, Universidade Federal de Minas Gerais, 31270-901 Belo Horizonte – MG, Brasil

IIIDepartamento de Física do Estado Sólido, Instituto de Física Gleb Wataghin, Universidade Estadual de Campinas, 13084-971 Campinas – SP, Brasil

IVDepartamento de Química Inorgânica, Instituto de Química, Universidade Estadual de Campinas, 13084-971 Campinas – SP, Brasil

ABSTRACT

Three compounds have been synthesized with formulae [3-MeRad][Ni(dmit)2] (1), [4-MeRad][Ni(dmit)2] (2) and [4-PrRad][Ni(dmit)2] (3) where [Ni(dmit)2]- is an anionic p-radical (dmit = 1,3-dithiol-2-thione-4,5-dithiolate) and [3-MeRad]+ is 3-N-methylpyridinium a-nitronyl nitroxide, [4-MeRad]+ is 4-N-methylpyridinium a-nitronyl nitroxide and [4-PrRad]+ is 4-N-propylpyridinium a-nitronyl nitroxide. The temperature-dependent magnetic susceptibility of 1 revealed that an antiferromagnetic interaction operates between the 3-MeRad+ radical cations with exchange coupling constants of J1 = - 1.72 cm-1 and antiferromagnetism assigned to the spin ladder chains of the Ni(dmit)2 radical anions. Compound 1 exhibits semiconducting behavior and 3 presents capacitor behavior in the temperature range studied (4 - 300 K).

Keywords: semiconductor; magnetism; dmit.

INTRODUÇÃO

Nos últimos 30 anos mais de 400 artigos foram publicados sobre o ligante 1,3-ditiol-2-tiona-4,5-ditiolato (dmit), cuja síntese ocorreu no final da década de 70 por Steimecke e colaboradores1, na Universidade de Leipzig, Alemanha2. Este ligante é obtido por meio de um processo de síntese que envolve atmosfera inerte e controle rígido da temperatura, a partir do dissulfeto de carbono, dimetilformamida e sódio metálico1,3. O dmit é estabilizado pela complexação com metais em diferentes estados de oxidação na forma de sal com ânion do tipo [M(dmit)2]n-, formando compostos com estados de oxidação fracionados ou neutros. Este tipo de ânion, rico em átomos de enxofre, conjugado à sua planaridade, permite a sobreposição intermolecular dos orbitais do átomo de enxofre, o que resulta em um sistema doador-aceptor p altamente deslocalizado de elevada condutividade. Diversos compostos de dmit e seus derivados são descritos na literatura2, visando a obtenção de novos materiais moleculares com grande variedade de propriedades físicas como condutividade, magnetismo e óptica. Isso possibilita uma atrativa geração de novos dispositivos eletrônicos4 com aplicações como sensores químicos5, transistores6 e óptica não-linear7. Como exemplo pode-se citar o primeiro supercondutor molecular contendo um complexo de metal de transição, o [TTF][Ni(dmit)2]2 (TTF = tetratiofulvaleno) com supercondutividade a 1,62 K a 7 kbar8. Nakamura e colaboradores9 apresentaram o composto [TPP][Ni(dmit)2]3 (TPP = tetrafenilfosfônio) com a estequiometria 1:3, condutividade de 10 S cm-1 a 300 K e semicondutividade em baixas temperaturas. Charlton e colaboradores10 obtiveram compostos diamagnéticos do tipo [R4N][M(dpdt)2] (M = Cu e Au, dpdt = 6,7-diidro-6-metileno-5H-1,4-ditiopeno-2,3-ditiol). Outros estudos descreveram a rota de síntese para obtenção de um sistema conjugado do tipo (Bu4N){tto[Ni(dmit)2]}, em que tto é tetratiooxalato11. Filmes de Langmuir-Blodgett são produzidos com o sistema dmit e geralmente apresentam elevada condutividade, sendo o dioctadecildimetilamônio-Au(dmit)2 descrito no final dos anos 9012. Por outro lado, o sistema [Cu(dmit)2]2- vem sendo estudado, o que resultou na determinação da estrutura do composto de estequiometria 2:1, o [Et4N]2[Cu(dmit)2] 13. Outros trabalhos abordaram o primeiro comportamento magnético 2D no composto meso-difenil-1,2-etano diammonio [18]crown-2[Ni(dmit)2]214 , assim como o efeito das transições de spin baseado nas interações entre os ligantes p-aceptor sob efeito de luz induzida no composto [Fe(qsal)2][Ni(dmit)2].2CH 3CN15 e as propriedade dos complexos neutros CpNi(dmit), CpNi(dsit) e CpNi(dmid) (dsit = 1,3-ditiol-2-tiona-4,5-diselenolato; dmid = 1,3-ditiol-2-one-4,5-ditiolato)16. Um dos mais recentes trabalhos publicados sobre o sistema dmit descreve fenômenos induzidos no comportamento elétrico sobre efeito de alta pressão hidrostática em compostos do tipo beta'-(cation)[Pd(dmit)2]2 (cation = Et2Me2P e Me4P)17.

Compostos com o sistema [Ni(dmit)2]- e radicais cátions magnéticos, como TEMPO18 e nitronil-nitróxido19, além de cátions paramagnéticos, como Cp*2M (Cp* = ciclopentadienil, M = Mn, Ni)20, geram sistemas com a sinergia de magnetismo e condutividade interagindo ou não entre si. O primeiro sistema spin em escada foi obtido com a composição [4-EtRad][Ni(dmit)2] (4-EtRad+ = 4-N-etilpiridino a-nitronil nitróxido)19. Na curva cpT vs T verificam-se interações ferromagnéticas nas cadeias do radical cátion, abaixo de 40 K, independente das interações antiferromagnéticas do sistema [Ni(dmit)2]-, acima de 150 K, de modo a apresentar um platô entre 40 e 150 K. O composto [4-BuRad][Ni(dmit)2] (4-BuRad+ = 4-N-butilpiridino a-nitronil nitróxido) foi obtido cinco anos depois pelo mesmo grupo de pesquisadores o qual apresentou três regiões distintas na curva de susceptibilidade magnética em função da temperatura21.

O presente trabalho apresenta a síntese, caracterização e estudos das propriedades elétricas e magnéticas de quatro novos compostos com o ânion p-condutor [Ni(dmit)2]- combinados com radicais cátions magnéticos do tipo a-nitronil-nitróxido22, cujas estruturas estão ilustradas na Figura 1. Os compostos obtidos a partir da reação de metátese do precursor [Bu4N][Ni(dmit)2] com os respectivos iodetos dos radicais cátions apresentaram a estequiometria 1:1 esperada, sendo eles: o [3-MeRad][Ni(dmit)2] (1), o [4-MeRad][Ni(dmit)2] (2) e o [4-PrRad][Ni(dmit)2] (3).


PARTE EXPERIMENTAL

Compostos precursores

Os iodetos dos radicais cátions a-nitronil-nitróxido foram sintetizados, purificados e caracterizados previamente com análise elementar e espectroscopia no infravermelho (IV), conforme descrição na literatura23-25, inclusive com melhores rendimentos26. O composto precursor [Bu4N][Ni(dmit)2] foi obtido a partir de três compostos intermediários, o [Bu4N]2[Zn(dmit)2], o 4,5-bis(benzoiltio)-1,3-ditiol-2-tiona, (PhCO)2(dmit), e o [Bu4N]2[Ni(dmit)2], cujos processos de síntese, purificação e caracterização são descritos na literatura1,3,27.

Síntese dos compostos 1, 2 e 3

O composto [3-MeRad][Ni(dmit)2] (1) foi obtido pela reação de metátese entre o precursor [Bu4N][Ni(dmit)2] e o iodeto do radical cátion a-nitronil-nitróxido, 3-MeRadI, na proporção 1:1. A uma solução de 0,060 g (0,10 mmol) de [Bu4N][Ni(dmit)2] em 15 mL de clorofórmio, sob agitação em frasco escuro, foi adicionada lentamente uma solução contendo 0,036 g (0,10 mmol) do 3-MeRadI dissolvido previamente em 10 mL do mesmo solvente. Após 1 h de reação à temperatura ambiente, recuperou-se o sólido por filtração a vácuo.

Os compostos [4-MeRad][Ni(dmit)2] (2) e [4-PrRad][Ni(dmit)2] (3) foram obtidos conforme procedimento acima, com os respectivos iodetos dos radicais cátions a-nitronil-nitróxido. As reações apresentaram entre 60-90% de rendimento em relação ao [Bu4N][Ni(dmit)2]. Os resultados de análise elementar confirmaram a estequimetria 1:1 esperada, segundo os valores experimentais e calculados. Composto C19H19O2N3 S10Ni (1) (700,73 g/mol): %C 31,92 (32,57), %H 1,88 (2,73), %N 5,75 (6,00), %Ni 8,72 (8,38). Composto C19H19O2N3 S10Ni (2) (700,73 g/mol): %C 31,36 (32,57), %H 2,81 (2,73), %N 5,86 (6,00), %Ni 7,84 (8,38). Composto C21H23O2N3 S10Ni (3) (728,78 g/mol): %C 33,04 (34,61), %H 3,06 (3,18), %N 5,78 (5,77), %Ni 8,10 (8,06).

Medidas físicas

Os espectros vibracionais na região do infravermelho (IV) foram obtidos em equipamento do tipo interferométrico Mattson modelo Galaxy 3030 (4000-400 cm-1) e em espectrofotômetro dispersivo Perkin Helmer modelo 8453 (4000-200 cm-1) em pastilhas de KBr. As medidas de espectroscopia Raman foram obtidas em espectrômetro micro-Raman Renishaw System 3000 equipado com detector CCD ("change coupled device") acoplado a um microscópio Olympus (BTH2) com resolução de 1 mm. Foi usada uma radiação de excitação de 632,8 nm da linha do laser He-Ne (Spectra Physics Model 127), sendo a potência sobre a amostra de aproximadamente 5 mW.

As medidas de condutividade por corrente contínua foram feitas em um sistema de quatro pontos (Jandel acoplado a fonte de tensão Keithley 238) em contato linear com a superfície de uma pastilha do material de espessura conhecida, a 300 K28. Foram aplicados valores crescentes de corrente elétrica (I) medindo-se, em seguida, as respectivas voltagens (V) entre os dois pontos internos em diversas regiões da superfície. As pastilhas utilizadas foram confeccionadas prensando-se o material com uma carga de 5 MPa sobre uma área (A) de 1,1 cm2; as espessuras (L) foram medidas com micrômetro. Os valores de resistividade (r) e de condutividade (s) foram calculados utilizando-se as considerações do método de quatro pontos, segundo as Equações 1 e 2:

em que r0 é a resistividade para volume semi-infinito, V e I são, respectivamente, tensão (volts) e corrente (µA) sendo V/I igual ao inverso da tangente do gráfico I vs V, G7 é um fator de correção considerando uma fina camada não condutora30, obtido da relação L/s, s é a distância entre os eletrodos (igual a 0,1 cm) e L a espessura da pastilha. A energia de ativação (Ea) a 300 K é obtida pela expressão r = r0.eEa/kT, sendo k a constante de Boltzmann de valor 8,617 x 10-5 eV K-1. As medidas da condutividade em função da temperatura foram feitas segundo o método de corrente elétrica em função da voltagem (I x V), utilizando-se pastilhas recobertas com ouro e dimensões conhecidas. Utilizou-se uma fonte de corrente Keithley 237, aplicando-se uma tensão dc e medindo a corrente que flui no circuito, no qual é conectado um resistor de 10 W em série, de modo a limitar a corrente máxima e o ruído. O controle de temperatura, entre 300 e 4 K, foi feito por um criostato, cuja sensibilidade chega à escala de mK, em baixas temperaturas. Os valores de resistividade foram obtidos pela expressão r = R.A/L, onde A e L são, respectivamente, a área e a espessura da pastilha e R = (dI/dV)-1. Para as amostras que apresentaram regime linear na curva I = f(V), R é uma constante e pode ser obtida por regressão linear.

As medidas de magnetização foram feitas em magnetômetro Squid Quantum Design MPM SXL7, na faixa de temperatura entre 5 a 300 K, em campos magnéticos de 1000 e 5000 Oe, usando-se uma amostra com massa de 10 mg. Foram utilizados porta-amostras de parafilme com dimensões definidas (2 x 2 cm; m = 27,3 mg). O sinal médio da magnetização do parafilme (Mmédia), de acordo com o campo aplicado na faixa de temperatura medida, foi subtraído, para obtenção das curvas de suscetibilidade magnética. O magnetômetro fornece uma resposta de medida em termos de magnetização (M), que é uma grandeza dependente do campo magnético aplicado (H). Deste modo, define-se um parâmetro auxiliar denominado suscetibilidade magnética (c) que relaciona H com M, ou seja, M = c.H. A suscetibilidade, então, é subtraída da contribuição diamagnética (cdia) calculada pelo método Pascal, obtendo-se a suscetibilidade molar (cM)29. É conveniente traçar os valores experimentais de cM em termos do produto cM.T em função da temperatura, curva cM.T vs T. Para um composto que obedeça a lei de Curie, cM.T = C (onde C é a constante de Curie), tem-se uma reta horizontal para a curva cM.T vs T. Para uma interação ferromagnética, os valores de cM.T aumentam com a diminuição da temperatura; para uma interação antiferromagnética (AF), cM.T diminui com a redução da temperatura.

RESULTADOS E DISCUSSÃO

Espectros infravermelho e Raman

Os espectros na região do infravermelho dos compostos 1, 2 e 3 apresentam as bandas características do ânion [Ni(dmit)2]- sem nenhuma alteração quando comparados aos composto precursor [Bu4N][Ni(dmit)2]: n(C=C) = 1350 cm-1, n(C=S) = 1050 e 1030 cm-1, n(C-S) = 900 cm-1 e n(Ni-S) = 305 e 485 cm-1. A substituição do grupo Bu4N+ é verificada pela presença de bandas características comuns aos radicais cátions30, como n(C=N) = 1580 cm-1 e n(N-O) = 1370 cm-1 e n(C-H)anel py na região de 780 cm-1. O espectro Raman do composto 1 (Figura 2) apresenta as principais bandas da espécie [Ni(dmit)]- com as seguintes atribuições31: deformação do anel de 5 membros em 337 cm-1 (ag7); n(Ni-S) = 360 cm-1 (ag6); estiramento das ligações C=C e C=S em fase no fragmento S2C=CS2 em 509 cm-1 (ag4); n(C-S) = 888 cm-1 (ag3); n(C=C) = 1396 cm-1 (ag1). As bandas do radical cátion no espectro Raman são de baixa intensidade e estão sobrepostas pelas bandas intensas do ânion, como na região de 1347 cm-1 referente à vibração da ligação O-N-C32.


Propriedades magnéticas

Os comportamentos magnéticos dos compostos 1, 2 e 3 estão ilustradas pelas curvas cM.T vs T entre 300 e 5 K (Figuras 3 e 4). O composto [3-MeRad][Ni(dmit)2] (1) apresenta um valor de cM.T(300K) de 0,740 emu K mol-1 (Figura 3) praticamente igual ao valor teórico calculado pela expressão de "spin only", cM.T = S[ni(ni+2)/8] (ni = número de elétrons desemparelhados de cada espécie) de 0,750 emu K mol-1, com n = 1 para a contribuição de um radical cátion 3-MeRad.+ e também para um p-radical aniônico [Ni(dmit)2]-. A diferença entre a contribuição do ânion [Ni(dmit)2]- no composto precursor [Bu4N][Ni(dmit)2], cM.T(300K) = 0,450 emu K mol-1 e o valor esperado igual a 0,375 emu K mol-1 deve ser atribuída à contribuição orbitalar do íon Ni3+ de configuração d7 com spin-baixo. Se for retirado 0,450 do valor de cM.T = 0,740 do [3-MeRad][Ni(dmit)2], restará 0,290 que é relativamente próximo do esperado para um radical livre (isotrópico; g = 2,00). Deste modo, têm-se duas contribuições independentes para o comportamento magnético, sendo uma do p-radical aniônico e outra do radical cátion. Ao longo da curva observa-se um desvio da Lei de Curie, onde os valores de cM.T apresentam uma contínua diminuição com o abaixamento da temperatura, entre 300 e 10 K, indicando um comportamento antiferromagnético. Abaixo de 10 K ocorre uma queda mais acentuada nos valores de cM.T, indicando o aparecimento de interações antiferromagnéticas intermoleculares. O ajuste da curva foi feito pela Equação 3, em que o primeiro termo é da contribuição de spin em escada33 do [Ni(dmit)2]- e o segundo termo é a contribuição do dímero de 3-MeRad+. O parâmetro D é um "gap" magnético, a curvatura é dada por a = 1/2[¶2e(k)/¶k 2]k=p em que e(k) é a energia de dispersão da excitação de onda na cadeia de spin em escada do [Ni(dmit)2]-, C1 e C2 correspondem às constantes de Curie do [Ni(dmit)2]- e do 3-MeRad+, respectivamente, o parâmetro J1 é a constante de acoplamento do a-dímero do radical cátion a-nitronil-nitróxido e k é a constante de Boltzman (k = 0,695 cm-1 K-1 para valores de energia em cm-1). O melhor resultado foi obtido com C1 fixado em 0,450 (S = ½), o que resulta em um ótimo fator de correlação R2 = 0,99941 (em que R2 = [S[(cM.T)obs – (cM.T)calc]2/S[(cM.T)obs]2]2), observado pela sobreposição exata da linha cheia na curva 1 na Figura 3. Os parâmetros obtidos foram D = 50,6 cm-1, a = 71,4 cm-1, C2 = 0,383 emu K mol-1 e J1 = - 1,72 cm-1. Neste caso o valor de J é negativo comprovando as interações AF do radical 3-MeRad.+ em baixas temperaturas.



O comportamento magnético do composto [4-MeRad][Ni(dmit)2] (2) (Figura 3) pouco difere do composto 1, porém com valor menor de cM.T, igual a 0,640 emu K mol-1 a 300 K . Ao longo desta curva, entre 300 e 50 K, observa-se um desvio mais acentuado da Lei de Curie, o que indica um comportamento AF. Abaixo de 50 K ocorre uma queda mais acentuada nos valores de cM.T, aumentando as interações antiferromagnéticas. Com isso, verifica-se que a posição do grupo metil no anel piridínico do radical cátion a-nitronil-nitróxido interfere pouco no comportamento, quando magnético, comparado ao composto 1. Foi obtido um bom ajuste da curva cM.T vs T (linha pontilhada na curva 2 na Figura 3) pela Equação 3 com R2 = 0,9970, D = 34,1 cm-1, a = 201,3 cm-1, C1 = 0,061 emu K mol-1, C2 = 0,606 emu K mol-1 e J1 = - 2,72 cm-1. Observa-se que o ajuste foi bem reproduzido ao longo da faixa de temperatura estudada e os valores de C1 e C2 estão bastante discrepantes em relação aos valores do composto 1, fazendo supor que ocorrem interações (por transferência de carga) entre os núcleos paramagnéticos em altas temperaturas.

A Figura 4 ilustra a curva cM.T vs T do composto [4-PrRad][Ni(dmit)2] (3), em um campo H = 1000 Oe. Os valores de cM.T aumentam gradativamente entre 300 e 40 K, o que significa interações ferromagnéticas nesta faixa de temperatura. Abaixo de 40 K os valores de cM.T diminuem intensivamente, devido a um comportamento antiferromagnético. O valor de cM.T = 0,455 emu K mol-1 a 300 K é próximo do p-radical aniônico [Ni(dmit)2]-, o que pode estar relacionado com sua contribuição predominante no comportamento magnético em altas temperaturas.

Propriedades elétricas

As medidas de resistividade dos compostos 1 e 2 foram feitas em pastilhas prensadas pelo método de quatro pontos à temperatura ambiente. Os compostos apresentaram valores de resistividade na faixa de semicondutores, conforme a Tabela 1.

O comportamento elétrico em função da temperatura dos compostos 1 e 3 foi verificado pelo método I vs V e está ilustrado nas Figuras 5 e 6, respectivamente. Utilizou-se, para o composto 1, um capilar de vidro contendo o material levemente prensado, de modo a obter um volume definido e homogêneo. Para o composto 3, a medida foi feita em uma pequena pastilha do material prensado em 5 MPa. Algumas dificuldades foram observadas nestas medidas, como uma não linearidade ao longo da curva I x V para o composto 3. Neste caso, escolheu-se uma faixa ideal de trabalho entre 1,1 e 2,8 V, onde se inicia o processo de condução, para cálculo da resistividade. O composto 1 apresenta um aumento exponencial da resistividade com a diminuição da temperatura (Figura 5), a qual varia de r = 5,8 x 105W cm, a 300 K, a um valor cerca de 2 x 104 vezes maior de r = 1,0 x 1010W cm, a 4 K, o que caracteriza um comportamento próprio de semicondutor. A resistividade a 300 K do composto 1 obtida por este método não é comparável com o valor obtido pelo método de quatro pontos, devido à menor homogeneidade do tubo capilar frente à pastilha, além da aplicação de um campo elétrico maior para realização da medida.



O comportamento elétrico do composto 3, por sua vez, apresenta grande variação frente à temperatura, como ilustra a Figura 6, entre 300 e 4 K. Os valores da resistividade aumentam em torno de 18 vezes entre 300 K, r300K = 3,6 x 103W cm, e 50 K, P50K = 6,4 x 104W cm. Abaixo de 50 K, observa-se uma pequena transição no comportamento elétrico, com a diminuição da resistividade, à temperatura de 4 K, r4K = 1,6 x 104W cm, valor cerca de 4 vezes menor que aquele obtido em 50 K. Verifica-se, portanto, um comportamento de semicondutor em altas temperaturas e metálico em baixas temperaturas34. A curva I vs V, com polarização direta e inversa, do composto 3 apresentou um comportamento aproximadamente simétrico a 300 K. Deste modo, observa-se o início da condução acima de 1,1 V, polarização direta, e abaixo de -1,1 V, polarização inversa (Figura 7). A 200 K o comportamento é semelhante, porém verifica-se uma tendência à saturação da corrente acima de 5,0 V e abaixo de –2,0 V. O comportamento a 300 K é característico de capacitor35 e é observado em moléculas como os derivados do hexa-periexabenzocoroneno (HBC)36, compostos de grande interesse em eletrônica molecular.


CONCLUSÕES

Os compostos [3-MeRad][Ni(dmit)2] (1), [4-MeRad][Ni(dmit)2] (2) e [4-PrRad][Ni(dmit)2] (3) foram obtidos por reações de metátese entre os respectivos iodetos dos radicais cátions magnéticos a-nitronil-nitróxido e o reagente precursor [Bu4N][Ni(dmit)2]. Os compostos 1 e 2 apresentaram comportamento antiferromagnético em toda a faixa de temperatura estudada (entre 300 e 5 K). O composto 1 apresenta dois sistemas de spin independentes, em altas e baixas temperaturas, verificado pelo ajuste da curva cMT vs T com uma expressão matemática contendo os termos distintos destes comportamentos. Um desses sistemas está localizado nos radicais cátions presentes, onde cada radical cátion interage antiferromagneticamente com o outro em baixas temperaturas, cujo J = -1,72 cm-1, e o outro sistema de spin em escada entre os ânions [Ni(dmit)2]- em temperaturas mais elevadas. O composto 3 apresentou interações ferromagnéticas (entre 300 e 40 K) e antiferromagnéticas (abaixo de 40 K). Os compostos obtidos apresentaram faixa de resistividade da ordem de semicondutor, a 300 K. O comportamento de semicondutor foi verificado no composto 1 devido à diminuição da resistividade, da ordem de 3 x 104 vezes, com o aumento da temperatura de 4 a 300 K. O composto 3, por sua vez, apresentou um comportamento elétrico variável com a resistividade, aumentando em torno de 18 vezes entre 300 e 50 K, revertendo esta tendência em temperaturas menores, com a resistividade diminuindo em cerca de 2 vezes até 4 K. Neste composto verificou-se também um comportamento de capacitor devido à simetria da curva I vs V com início da condução acima de 1,5 V e abaixo de -1,5 V (a 300 K).

AGRADECIMENTOS

Ao CNPq e a FAPEMIG pelo apoio financeiro que permitiu a execução dessa pesquisa; à Profa. M. Temperini – IQ- USP pelos espectros Raman; ao Prof. A. G. de Oliveira e ao Pós-DS R. Rubinger pelas medidas de condutividade em baixas temperaturas.

Recebido em 31/5/06; aceito em 22/8/06; publicado na web em 26/3/07

  • 1. Steimecke, G.; Sieler, H. J.; Kirmse, R.; Hoyer, E.; Phosphorus, Sulfur Silicon Relat. Elem. 1979, 7, 49.
  • 2. Pullen, A. E.; Olk, R. M.; Coord. Chem. Rev. 1999, 188, 211.
  • 3. Valade, L.; Legros, J. P.; Bousseau, M.; Cassoux, P.; J. Chem. Soc. Dalton Trans. 1985, 783.
  • 4. Valade, L.; Caro, D.; Basso-Bert, M.; Malfant, I.; Faulman, C.; Bonneval, B. G.; Legros, J. P.; Coord. Chem. Rev. 2005, 249, 1986.
  • 5. Bates, J. R.; Kathirgamanathan, P.; Miles, R. W.; Thin Solid Films 1997, 299, 18.
  • 6. Pearson, C.; Moore, A. J.; Gibson, J. E.; Bryce, M. R.; Petty, M. C.; Thin Solid Films 1994, 244, 932.
  • 7. Wang, S. F.; Huang, W. T.; Zhang, T. Q.; Yang, H.; Gong, Q. H.; Okuma, Y.; Horikiri, M.; Miura, Y. F.; Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 1845.
  • 8. Bousseau, M.; Valade, L.; Legros, J. P.; Cassoux, P.; Garbauskas, M.; Iterrante, L.V.; J. Am. Chem. Soc. 1986, 108, 1908.
  • 9. Nakamura, T.; Underhill, A. E.; Coomber, A. T.; Friend, R. H.; Tajima, H.; Kobayashi, A.; Kobayashi, H.; Inorg. Chem. 1995, 34, 870.
  • 10. Charlton, A.; Underhill, A. E.; Kobayashi, A.; Kobayashi, H.; J. Chem. Soc. Dalton Trans. 1995, 1285.
  • 11. Bai, F.; Zuo, J. L.; Shen, Z.; You, X. Z.; Fun, H. K.; Chinnakali, K.; Inorg. Chem. 2000, 39, 1322.
  • 12. Miura, Y. F.; Kawasaki, T.; Ohnishi, H.; Okuma, Y.; Sugi, M.; Mol. Cryst. Liq. Cryst. Sci. Technol., A 1999, 337, 365.
  • 13. Wang, X. Q.; Yu, W. T.; Xu, D.; Wang, Y. L.; Li, T. B.; Zhang, G. H.; Sun, X. B.; Ren, Q.; Acta Crystallogr., Sect. E: Struct. Rep. Online 2005, 61, M717.
  • 14. Akutagawa T.; Matsuura, K.; Hashimoto, A.; Nakamura, T.; Inorg. Chem. 2005, 44, 4454.
  • 15. Takahashi, K.; Cui, H. B.; Kobayashi, H.; Einaga, Y.; Sato, O.; Chem. Lett. 2005, 34, 1240.
  • 16. Fourmigué, M.; Narcis, A.; J. Chem. Soc. Dalton Trans. 2005, 8, 1365.
  • 17. Ishii, Y.; Tamura, M.; Kato, R.; Hedo, M.; Uwatoko, Y.; Mori, N.; Synth. Met. 2005, 152, 389.
  • 18. Aonuma, S.; Casellas, H.; Faulmann, C.; Bonneval, B.G.; Malfant, I.; Lacroix, P. G.; Cassoux, P.; Hosokoshi, Y.; Inoue, K.; Synth. Met. 2001, 120, 993.
  • 19. Imai, H.; Inabe, T.; Otsuka, T.; Okuno, T.; Awaga, K.; Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 1996, 54, R6838.
  • 20. Faulmann, C.; Pullen, A. E.; Rivière, E.; Jpurnaux, Y.; Cassoux, P.; Synth. Met. 1999, 103, 2296.
  • 21. Imai, H.; Naito, T.; Awaga, K.; Inabe, T.; Synth. Met. 2001, 120, 951.
  • 22. Stumpf, H. O.; Ouahab, L.; Pey, Y.; Grejean, D.; Khan, O.; Science 1993, 261, 447.
  • 23. Ullman, E. F.; Call, L.; Osieki, J. H.; J. Org. Chem. 1970, 35, 3630.
  • 24. Vaz, M. G. F.; Pedroso, E. F.; Speziali, N. L.; Novak, M. A.; Alcântara, A. F. C.; Stumpf, H. O.; Inorg. Chim. Acta 2001, 326, 65.
  • 25. Vaz, M. G. F.; Pinheiro, L. M. M.; Stumpf, H. O.; Alcântara, A. F. C.; Golhen, S.; Ouahab, L.; Cador, O.; Mathonière, C.; Kahn, O.; Chem. Eur. J. 1999, 5, 1486.
  • 26. Vaz, M. G. F.; Tese de Doutorado, Universidade Federal de Minas Gerais, Brasil, 1998.
  • 27. Kirmse, R.; Stach, J.; Dietzsch, W.; Steimecke, G.; Hoyer, E.; Inorg. Chem. 1980, 19, 2679.
  • 28. Valdes, L. B.; Proceedings of the Institute of Radio Engineers 1954, 42, 420.
  • 29. Khan, O.; Molecular Magnetism, VCH: New York, 1993, p. 1 - 4.
  • 30. Kopf, P. W.; Kreilick, R.; Boocock, D. G. B.; Ullman, E.F.; J. Am. Chem. Soc. 1970, 92, 4531.
  • 31. Pokhodnya, K. J.; Faulmann, C.; Malfant, I.; Solano, R.A.; Cassoux, P.; Mlayah, A.; Smirnov, D.; Leotin, J.; Synth. Met. 1999, 103, 2016.
  • 32. Xiao, C.; Feng, K.; Mo, Y.; Meng, Q.; Zhang, M.; Wan, M.; Zhao, J.; Chem. Phys. 1998, 237, 73.
  • 33. Troyer, M.; Tsunetsugu, H.;Würtz, D. Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 1994, 50, 13515.
  • 34. Ashcroft, N. W.; Mermin, N. D.; Solid State Physics, Saunder Coll Publishing: New York, 1976, p. 562 - 564.
  • 35. Malvino, A. P.; Eletrônica, Makron Books: São Paulo, 1997.
  • 36. Jäckel, F.; Watson, M. D.; Müllen, K.; Rabe, J. P.; Phys. Rev. Lett. 2004, 92, 188303.
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  • Publication Dates

    • Publication in this collection
      10 Aug 2007
    • Date of issue
      Aug 2007

    History

    • Accepted
      22 Aug 2006
    • Received
      31 May 2006
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