| Cz tipo n 0.2-2 Ω.cm/170/4 |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
Frontal: Al2O3/SiNx; posterior: SiOx
|
Frontal: Cr/Pd/Ag evaporação com canhão de elétrons; posterior: evaporação térmica Ag |
21,1 |
23
|
| Cz tipo n 1-3 Ω.cm/180/103 |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
Frontal: Al2O3/SiNx; posterior: poli-Si |
Frontal: Ti/Pd/Ag; posterior: Ag |
20,7-21,0 |
43
|
| FZ tipo n/250/4 |
p+ poli-Si posterior |
n+ poli-Si frontal |
SiOx
|
Evaporação térmica; frontal: Ti/Pd/Ag; posterior: Ag |
19,2 sim.; 21,5 exp. |
44
|
| Cz tipo n 3-6 Ω.cm/170/244 |
p+ poli-Si (B) |
n+ (P) |
ALD AlOx/SiOx (superfície); AlOx/SiNx (contatos) |
Frontal: serigrafia; posterior: serigrafia e evaporação térmica |
23,2 sim.; 20,5 exp. |
45
|
| Cz tipo n 2 Ω.cm/200/239 |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
Frontal: Al2O3/SiNx; posterior: tunnel oxide/poli-Si/SiNx
|
Serigrafia |
21,6 |
46
|
| Tipo n/180/- |
- |
n+ poli-Si |
SiO2 ultrafino |
- |
- |
47
|
| FZ tipo n/280/103 |
p+ poli-Si posterior |
poli/n a-Si: H |
Frontal: borossilicato; posterior: SiO2
|
Frontal: evaporação por feixe de elétrons Al; posterior: evaporação térmica Ag/Cr/Al |
21,0 |
48
|
| FZ tipo n 1 Ω.cm/-/4 |
p+/p++ (B) frontal |
n+ poli-Si |
Frontal: Al2O3/SiNx; posterior: SiO2 (~1,5 nm) |
Frontal: fotolitografia; posterior: evaporação térmica Ag |
22,0 |
19
|
| Cz tipo n ~3 Ω.cm/170/244 |
p+ poli-Si |
- |
SiOx AlOx:H |
Evaporação térmica Al |
- |
49
|
| Cz tipo n 1-5 Ω.cm/200/- |
- |
n+ poli-Si |
SiOx
|
Serigrafia |
24,3 |
50
|
| FZ tipo n 3 Ω.cm/180/- |
p+ (Al) |
n+ poli-Si |
AlOx/SiNx
|
Serigrafia |
19,7 |
51
|
| Tipo n/-/- |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
SiO2 SiNx:H |
Serigrafia |
- |
52
|
| Quase-mono tipo n 1.4 Ω.cm/167/246 |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
Óxido de túnel interfacial (SiO2)/SiNx
|
Frontal: Ag/Al; posterior: Ag |
23,2 |
53
|
| Cz tipo n 5 Ω.cm/180/244 |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
Óxido de túnel interfacial (SiOx) |
Serigrafia; frontal: Ag/Al; posterior: Ag |
23,5 |
54
|
| Cz tipo n 0.5-2 Ω.cm/180/244 |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
Frontal: Al2O3/SiNx; posterior: SiOx
|
Screen-printed Ag |
22,4 |
55
|
| Cz tipo n 1-3 Ω.cm/180/4 |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
SiO2
|
Evaporação por canhão de elétrons e eletrodeposição (frontal)/evaporação térmica (posterior) |
23,0 |
56
|
| Cz tipo n 5 Ω.cm/180/9 |
p+ (B) posterior |
n+ poli-Si/ITO frontal |
Frontal: SiO2; posterior: Al2O3/SiNx
|
Evaporação térmica Ag |
20,2 |
57
|
| Cz tipo n 3 Ω.cm/180/4 |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
Frontal: Al2O3/SiNx; posterior: SiOx
|
Frontal: Ti/Pd/Ag; posterior: Ag |
21,0 |
58
|
| FZ tipo n 500 Ω.cm/298/- |
- |
- |
SiNx
|
- |
- |
59
|
| FZ tipo n 500 Ω.cm/298/- |
- |
- |
SiNx
|
- |
- |
60
|
| Cz tipo n/-/4 |
Camada a-Si:H dopado com B |
SiH4, B3H6, H |
Interno: SiO2; externo: SiNx
|
Evaporação térmica Ti/Ag |
- |
61
|
| Tipo n 3.2 Ω.cm/190/- |
- |
n+ poli-Si |
Interno: óxido de túnel interfacial; externo: SiNx
|
- |
- |
62
|
| Tipo n 2.8 Ω.cm/180/244 |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
Frontal: SiNx/Al2O3; posterior: iOx/SiNx
|
Evaporação Al |
- |
63
|
| Cz tipo n 3.4 Ω.cm/-/228 |
p+ poli-Si |
n+ (P) |
AlOx
|
- |
- |
64
|
| Cz tipo n 1.2 Ω.cm/180/244 |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
Frontal: SiNx; posterior: SiOx
|
Evaporação térmica Ag |
27,9 sim. |
65
|
| Cz tipo n/-/239 |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
Frontal: Al2O3/SiNx; posterior: Al2O3
|
Frontal: serigrafia; posterior: evaporação Ag |
20,8 |
66
|
| Cz tipo n 3 Ω.cm/180/196 |
p+ poli-Si |
n+ poli-Si |
Interno: iOx; externo: SiNx; ITO |
Serigrafia: SiNx/cura ITO |
19,6 |
67
|
| Cz tipo n 1.2 Ω.cm/180/244 |
p+ (B) |
n+ (P) |
Frontal: p+ poli-Si/AlOx; posterior: n+ poli-Si/SiOx
|
Serigrafia; frontal: Ag/Al; posterior: Ag |
22,0 |
68
|
| Cz tipo n 1-3 Ω.cm/170/- |
p+ poli-Si (B) |
n+/n++ frontal |
Frontal: SiOx/SiNx/SiOx; posterior: SiO2 ultrafino |
Evaporação com canhão de elétrons |
26,0 |
69
|