SciELO - Scientific Electronic Library Online

 
vol.49 issue309Study of the influence of the Mn ion on the g®a alumina phase transitionErrata author indexsubject indexarticles search
Home Pagealphabetic serial listing  

Services on Demand

Journal

Article

  • Portuguese (pdf)
  • Article in xml format
  • How to cite this article
  • SciELO Analytics
  • Curriculum ScienTI
  • Automatic translation

Indicators

Related links

Share


Cerâmica

Print version ISSN 0366-6913On-line version ISSN 1678-4553

Cerâmica vol.49 no.309 São Paulo Jan./Mar. 2003

http://dx.doi.org/10.1590/S0366-69132003000100013 

Filmes finos de SrBi2Ta2O9 processados em forno microondas

 

SrBi2Ta2O9 thin films processed in microwave oven

 

 

J. S. VasconcelosI,III; N. S. L. S. VasconcelosI,IV; S. M. ZanettiI; J. W. GomesII; E. LongoII; E. R. LeiteII; J. A. VarelaI

ICMDMC, LIEC, Instituto de Química, Universidade Estadual Paulista, Araraquara, SP, 14801-970, sales06@uol.com.br
IICMDMC, LIEC, Departamento de Química, Universidade Federal de S. Carlos, S. Carlos, SP, 13560-905
IIIDepartamento de Eletroeletrônica
IVDepartamento de Química, Centro Federal de Educação Federal do Maranhão, S. Luís, MA, 65025-001

 

 


RESUMO

Filmes finos de SrBi2Ta2O9 foram depositados em substratos de Pt/Ti/SiO2/Si e, pela primeira vez, sinterizados em forno microondas doméstico. Os padrões de difração de raios X mostraram que os filmes são policristalinos. O processamento por microondas permite utilizar baixa temperatura na síntese e obter filmes com boas propriedades elétricas. Ensaios de microscopia eletrônica de varredura (MEV) e de Força Atômica (MFA) revelam boa aderência entre filme e substrato, com microestrutura de superfície apresentando grãos finos e esféricos e rugosidade de 4,7 nm. A constante dielétrica e o fator de dissipação, para freqüência de 100 KHz, à temperatura ambiente, foram de 77 e 0,04, respectivamente. A polarização remanescente (2Pr) e o campo coercitivo (Ec) foram 1,04 mC/cm2 e 33 kV/cm. O comportamento da densidade de corrente de fuga revela três mecanismos de condução: linear, ôhmico e outro mecanismo que pode ser atribuído à corrente de Schottky. Dos padrões de DRX, análises das imagens por MEV e topografia de superfície por MFA observa-se que 10 min de tratamento térmico a 550 ºC, em forno microondas, é tempo suficiente para se obter a cristalização do filme.

Palavras-chave: filmes finos, SBT, ferroelétrico, cristalização, microondas.


ABSTRACT

SrBi2Ta2O9 thin films were deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates and, for the first time, sintered in a domestic microwave oven. The X-ray diffraction patterns showed that the films are polycrystalline. The microwave processing allows to use a low temperature for the synthesis, obtaining films with good electrical properties. Scanning Electron Microscopy (SEM) and Atomic Force Microscopy (AFM) results reveal good adherence between film and substrate and a surface microstructure presenting thin and spherical grains and roughness of 4.7 nm. The dielectric constant and the dissipation factor, for a frequency of 100 KHz at room temperature, were 77 and 0.04, respectively. The remaining polarization (2Pr) and the coercive field (Ec) were 1.04 C/cm2 and 33 kV/cm, respectively. The behavior of the drift current density reveals three electric conduction mechanisms: linear, ohmic and another mechanism that can be attributed to the Schottky current. From the XRD patterns, analyses of the SEM images and AFM surface topography it was noticed that 10 min of thermal treatment at 550 ºC, in a microwave oven, is enough time to obtain the crystallization of the films.

Keywords: thin films, SBT, ferroelectrics, crystallization, microwave.


 

 

INTRODUÇÃO

Estudos em filmes finos de SrBi2Ta2O9 (SBT) têm sido realizados principalmente para aplicação como memórias ferroelétricas não voláteis de alta densidade de acesso aleatório (NVFeRAM). O SBT é um potencial candidato para utilização como memórias ferroelétricas de acesso aleatório (FRAMs), uma vez que apresenta alta constante dielétrica, alta temperatura de Curie, baixa corrente de fuga, resistência à fadiga e retenção de polarização [1]. Além disso, o chaveamento e a saturação da polarização de filmes SBT podem ser obtidos para tensões abaixo de 3 V. A estrutura cristalina do SBT é ortorrômbica composta por camada de perovskita (SrTa2O7)2- alternadas por camadas de (Bi2O2)2+ [2]. O SBT tem sido preparado por diversas técnicas como decomposição metalorgânica (MOD) [3], deposição de vapor químico de organometálicos (MOCVD) [4], deposição de vapor químico de organometálicos por ressonância (ECR-MOCVD) [5], deposição de solução de organometálicos modificado (MOSD) [6], deposição por laser pulsado (PLD) [7], sol-gel [8] e pelo método dos precursores poliméricos [9]. Estas técnicas, aliadas às suas propriedades elétricas, fazem deste material um potencial candidato para fabricação de dispositivos de memórias. Por outro lado, a maioria destes processos não é adequada para obtenção de memórias de alta densidade, devido, principalmente, às altas temperaturas de tratamento dos filmes, acima de 650 °C. Entretanto, uma alta ferroeletricidade é obtida quando o SBT é tratado termicamente acima de 700 °C [5].

É possível obter-se a fase perovskita com temperatura de tratamento da ordem de 650 °C, entretanto a ferroeletricidade mostra-se pouco intensa devido ao pequeno tamanho de grãos [10].

Este artigo relata a preparação de filmes finos de SBT, pelo método dos precursores poliméricos modificado (Pechini), utilizando um forno microondas doméstico para o tratamento térmico a baixa temperatura.

 

MATERIAIS E MÉTODOS

O procedimento detalhado para síntese e caracterização da resina de SBT foi descrito anteriormente [9]. Na síntese, foram utilizados como reagentes SrCO3, Bi2O3 e etóxido de tântalo. A razão molar entre o estrôncio, bismuto e tântalo foi 1:2:2, a razão molar entre ácido cítrico/metal foi 3:1 e a razão em massa ácido cítrico/etilenoglicol foi 60:40.

Os filmes foram depositados em substratos de Pt/Ti/SiO2/Si por "spin coating". Várias camadas foram depositadas a 5000 rpm por 20 s e secas a 120 ºC ao ar. Cada camada foi pré-tratada termicamente a 400 ºC, por 2h, para eliminação da matéria orgânica. Em seguida, dois processos de cristalização foram utilizados: a 550 ºC por 10 min em forno microondas e a 700 ºC em forno convencional por 2 h. Para o tratamento térmico no forno microondas utilizou-se susceptores de SiC para processo híbrido, com taxa de aquecimento de aproximadamente 300 ºC/min, enquanto que com forno convencional a taxa de aquecimento foi 5 ºC/min.

Para caracterização elétrica, foram depositados eletrodos de ouro com área nominal de 7,07 x 10-4 cm2, por "sputtering". Após a deposição dos eletrodos, os filmes foram tratados a 300 0C por 30 min, em atmosfera de O2, para obter-se um melhor contato eletrodo/filme.

A estrutura dos filmes foi analisada por difratometria de raios X com ânodo rotatório (HIGAKU, D5000) usando radiação Cuka a 40 kV e 150 mA. A caracterização da morfologia de superfície foi feita por MFA (Digital, NanoScope 3 A) e MEV (Zeiss DSM940A).

As propriedades dielétricas dos filmes SrBi2Ta2O9 foram obtidas como função da freqüência na faixa 100 Hz-10 MHz à temperatura ambiente. A constante dielétrica, o fator de dissipação e as curvas capacitância-tensão (C-V) foram medidas em um analisador de impedância HP4194A. As medidas de I-V e de histerese por polarização utilizando um equipamento RADIANT (RT600HVS) no modo corrente-tensão e modo "virtual ground", respectivamente.

 

RESULTADOS E DISCUSSÃO

A Fig. 1 ilustra os difratogramas de raios X para os filmes de SBT tratados a 550 ºC em forno microondas e a 700 ºC em forno convencional. O filme tratado a 550 ºC apresenta fase do tipo perovskita com picos finos e bem definidos. O difratograma obtido, além de ser característico de boa cristalinidade, apresenta-se melhor do que os reportados anteriormente a 600 ºC em forno convencional [6, 11]. A largura à meia altura da ordem de 0,19º foi obtida para orientação (115), importante para análise da propriedade ferroelétrica do material. Nenhum pico de intensidade significativa que corresponda a uma fase secundária foi observado. Por outro lado, as intensidades dos picos são comparáveis às do filme tratado a 700 ºC em forno convencional.

 

 

As Figs. 2 e 3 ilustram as imagens por MEV da secção transversal e superfície dos filmes tratados a 700 ºC e 550 ºC, respectivamente. Os filmes apresentam camadas densas, uniformes e microestrutura de grãos finos. Observa-se que os grãos obtidos a 550 ºC são mais finos que os obtidos a 700 ºC, concordando com a magnitude da temperatura de cristalização. O exame das superfícies revela uma superfície plana para o filme tratado a 700 ºC, no entanto, há pontos irregulares para o de 550 ºC. As camadas do filme tratado em microondas apresentam-se aderidas à interface e sem interdifusão. As espessuras dos filmes, medidas por MEV, foram 232 nm e 277 nm para filmes tratados a 550 ºC e 700 ºC, respectivamente. As análises das espessuras dos filmes indicam que o tratamento térmico com microondas provoca uma maior densificação nas camadas do filme.

As topografias de superfície em 2D e 3D do filme tratado a 550 ºC obtidas por MFA são ilustradas na Fig. 4. Os grãos apresentam-se esféricos e bem definidos com uma microestrutura densa, sem trincas e rugosidade de 4,7 nm.

Das análises dos difratogramas de raios X, imagens de superfície por MEV e topografia de superfície por AFM, observa-se que 10 min de tratamento térmico em forno microondas é o tempo para otimizar a cristalização do filme.

A Fig. 5 ilustra a variação da constante dielétrica relativa (er) e o fator de dissipação (tan d), em função da freqüência de 100 Hz a 10 MHz, à temperatura ambiente. As curvas de constante dielétrica relativa e do fator de dissipação apresentam-se praticamente independentes da freqüência, quando analisadas nesta faixa de freqüência. A constante dielétrica a 100 kHz é 77 e o fator de dissipação da ordem de 0,04. Observa-se uma leve dispersão em torno de 14% com o aumento da freqüência aplicada de 100 Hz a 1 MHz, que pode ser devida às cargas na interface eletrodo/filme.

 

 

A relação entre o bias dc e a capacitância é ilustrada na Fig. 6. As curvas em forma de borboleta são simétricas com picos de 216,5 pF para o lado positivo e 217,2 pF para o lado negativo. Esta diferença observada nos valores de picos pode ser atribuída a uma retenção de domínios elétricos durante o chaveamento.

 

 

A Fig. 7 ilustra o ciclo de histerese, observado na freqüência de 60 Hz à temperatura ambiente, para uma variação de tensão de -12 V a +12 V no filme de SBT tratado a 550 ºC em forno microondas. O filme apresenta comportamento típico de material ferroelétrico. A polarização remanescente (2Pr) e o campo coercitivo (Ec) foram 1,04 mC/cm2 e 33 kV/cm, respectivamente. Este resultado é similar ao obtido por Kato [1].

 

 

A corrente de fuga é um importante parâmetro para determinação da confiabilidade de um dispositivo de memória. O comportamento da densidade de corrente de fuga em função do campo elétrico é ilustrado na Fig. 8. Na curva log J (A/cm2) versus log E (kV/cm), a densidade de corrente de fuga mantém-se praticamente linear até 40 kV/cm, em seguida aumenta linearmente até 121 kV/cm, a qual corresponde ao mecanismo do tipo ôhmico. Acima deste valor de campo elétrico a condução de corrente de fuga dá-se por outros mecanismos, os quais podem ser: condução limitada por cargas espaciais ou limitada por interface (corrente de Schottky). A corrente de fuga obtida a 100 kV/cm é da ordem de 5,23 x 10-6 A/cm2.

 

 

Estudos estão sendo realizados para se obter filmes finos de SBT com melhores propriedades ferroelétricas, como variação de temperatura e tempo de tratamento térmico, utilizando forno de microondas.

 

CONCLUSÕES

Filmes finos de SrBi2Ta2O9 foram preparados utilizando o método precursor polimérico e cristalizados em forno convencional e microondas. As análises por difração de raios X revelaram que os filmes são policristalinos, com picos intensos e distintos. O tempo de 10 min para tratamento térmico em forno microondas foi suficiente para obtenção de picos definidos e boa cristalinidade. Os filmes obtidos a 550 ºC apresentaram grãos finos esféricos com superfície plana e alguns pontos irregulares. Micrografias obtidas em microscópio eletrônico de varredura revelaram boa aderência filme/substrato com espessura de 232 e 277 nm para tratamento térmico de 550 ºC e 700 ºC, respectivamente. Para o filme tratado em microondas, as imagens por microscopia de força atômica mostraram uma superfície densa com baixa rugosidade (4,7 nm). A constante dielétrica e o fator de dissipação, para freqüência de 100 KHz, foram 77 e 0,04, respectivamente. A característica C-V apresenta curvas do tipo borboleta, típicas de materiais ferroelétricos, com valor de capacitância 216 pF a 17,5 kV. A polarização remanescente (2Pr) e o campo coercitivo (Ec) foram 1,04 mC/cm2 e 33 kV/cm, respectivamente. A corrente de fuga obtida a 100 kV/cm é da ordem de 5,23 x 10-6 A/cm2. Os resultados mostram que é possível obter filmes finos de SrBi2Ta2O9 utilizando processamento à baixa temperatura com forno microondas doméstico.

 

REFERÊNCIAS

[1] K. Kato, Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 5417.        [ Links ]

[2] B. Aurivillius, P. H. Fang, Phys. Rev. 126 (1962) 893.        [ Links ]

[3] X. B. Chen, F. Yan, C. H. Li, Z. G. Zhang, J. S. Zhu, Y. N. Wang, Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 369.        [ Links ]

[4] N. Nukaga, K. Ishikawa, H. Funakubo, Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 5428.        [ Links ]

[5] N. Nukaga, M. Mitsuya, H. Funakubo, Jpn. J. Appl. Pys. 39 (2000) 5496.        [ Links ]

[6] P. C. Joshi, S. O. Ryu, X. Zhang, S. B. Desu, Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 1080.        [ Links ]

[7] L. Dat, J. K. Lee, O. Auciello, A. I. Kingon, Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 572.        [ Links ]

[8] T. Atsuki, N. Soyama, T. Yonezawa, K. Ogi, Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 5096.        [ Links ]

[9] S. M. Zanetti, E. R. Leite, E. Longo, E. B. Araújo, A. J. Chiquitito, J. A. Eiras, J. A. Varela, J. Mat. Res. 15, 10 (2000) 2091.        [ Links ]

[10] M. Mitsuya, N. Nukaga, K. Saito, M. Osada, H. Funakubo, Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 3337.        [ Links ]

[11] K. Amanuma, T. Hase, Y. Miysaka, Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 221.        [ Links ]

 

 

Rec.14/10/02,
Ac.31/01/03

Creative Commons License All the contents of this journal, except where otherwise noted, is licensed under a Creative Commons Attribution License