Resumo

ONMORI, Roberto K.; MATTOSO, Luiz Henrique C.  e  FARIA, Roberto M.. Transistor por efeito de campo e fotocondutor de poli(o-metoxianilina).. Polímeros [online]. 1998, vol.8, n.1, pp.38-45. ISSN 0104-1428.  http://dx.doi.org/10.1590/S0104-14281998000100006.

RESUMO: Esse artigo apresenta resultados sobre fabricação e caracterização de um transistor por efeito de campo (FET) tendo a poli(o-metoxianilina) - POMA - como material ativo. Uma adaptação de processos de microeletrônica tradicional foi feita para a confecção desse dispositivo. O FET desenvolvido apresentou modulação por voltagem de porta V_g, mas operou mesmo em V_g=0. A corrente de dreno I_D aumentou significativamente sob iluminação na região da radiação visível e infravermelho próximo, mostrando o caráter fotocondutor da POMA dopada e, portanto, do dispositivo. Um modelo teórico baseado nos mecanismos de condução eletrônica da POMA, e de efeitos de interface metal-polímero foi elaborado, ajustando-se muito bem aos resultados experimentais.

Palavras-chave : Dispositivos eletrônicos; transistor por efeito de campo; fotocondutividade; polímeros condutores; aplicações.

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