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Cerâmica

versão impressa ISSN 0366-6913versão On-line ISSN 1678-4553

Resumo

GHENO, S. M.; HASEGAWA, H. L.  e  PAULIN FILHO, P. I.. Sondagem direta de titanato de bário semicondutorpor meio de microscopia de força eletrostática. Cerâmica [online]. 2007, vol.53, n.326, pp.200-204. ISSN 0366-6913.  http://dx.doi.org/10.1590/S0366-69132007000200015.

A microscopia de força eletrostática (EFM) foi usada para sondagem direta do potencial na superfície do titanato de bário dopado, o qual é cerâmica semicondutora. As medidas de EFM foram realizadas no modo não contato, mantendo a distância ponta-amostra de 75 nm constante, mas variando a voltagem bias aplicada à amostra de zero a 10 V. A distribuição do potencial na amostra mostrou mudanças em regiões próximas ao contorno de grão, exibindo largura de barreira constante de 145,2 nm.

Palavras-chave : microscopia de força eletrostática; potencial elétrico; barreiras; titanato de bário.

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