Abstract

MORO, João Roberto et al. Crescimento de diamante CVD em substratos de silício de grande área. Rem: Rev. Esc. Minas [online]. 2010, vol.63, n.2, pp. 279-285. ISSN 0370-4467.  http://dx.doi.org/10.1590/S0370-44672010000200011.

Realizaram-se crescimentos de filmes de diamante por deposição química de vapor (CVD, do inglês Chemical Vapor Deposition) em substratos de silício (100), de grande área (80 cm²), em um reator de filamento quente (HFCVD), com taxas de crescimento superiores a 1,5 µm/h. Foi realizado o crescimento das amostras com diferentes fluxos gasosos e diferentes porcentagens de metano (CH4) em hidrogênio (H2). As amostras foram caracterizadas por microscopia óptica, eletrônica de varredura e por espectroscopia de espalhamento Raman. Tais análises acusaram a presença de diamante de alta pureza em todas as amostras.

Keywords : Diamante CVD; crescimento; grandes áreas.