Cz tipo n 0.2-2 Ω.cm/170/4 |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
Frontal: Al2O3/SiNx; posterior: SiOx
|
Frontal: Cr/Pd/Ag evaporação com canhão de elétrons; posterior: evaporação térmica Ag |
21,1 |
23
23 Z. Zhang , Y. Zeng, C.S. Jiang, Y. Huang, M. Liao, H. Tong, M. Al-Jassim, P. Gao, C. Shou. X. Zhou. B. Yan, J. Ye, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 187 (2018) 113.
|
Cz tipo n 1-3 Ω.cm/180/103 |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
Frontal: Al2O3/SiNx; posterior: poli-Si |
Frontal: Ti/Pd/Ag; posterior: Ag |
20,7-21,0 |
43
43 H. Tong , M. Liao , Z. Zhang , Y. Wan, D. Wang, C. Quan, L. Cai, P. Gao , W. Guo, H. Lin, C. Shou , Y. Zeng , B. Yan , J. Ye , Sol. Energy Mater. Sol. Cells 188 (2018) 149.
|
FZ tipo n/250/4 |
p+ poli-Si posterior |
n+ poli-Si frontal |
SiOx
|
Evaporação térmica; frontal: Ti/Pd/Ag; posterior: Ag |
19,2 sim.; 21,5 exp. |
44
44 M. Nicolai, M. Zanuccoli, F. Feldmann , M. Hermle, C. Fiegna, IEEE J. Photovolt . 8 (2017) 103.
|
Cz tipo n 3-6 Ω.cm/170/244 |
p+ poli-Si (B) |
n+ (P) |
ALD AlOx/SiOx (superfície); AlOx/SiNx (contatos) |
Frontal: serigrafia; posterior: serigrafia e evaporação térmica |
23,2 sim.; 20,5 exp. |
45
45 Z. Xin, Z.P. Ling, P. Wang, J. Ge, C. Ke, K.B. Choi, A.G. Aberle, R. Stangl, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 191 (2019) 164.
|
Cz tipo n 2 Ω.cm/200/239 |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
Frontal: Al2O3/SiNx; posterior: tunnel oxide/poli-Si/SiNx
|
Serigrafia |
21,6 |
46
46 Y.Y. Huang, Y.W. Ok , A.D. Upadhyaya , V.D. Upadhyaya, K. Madani , A. Rohatgi , in 46th Photovolt. Special. Conf., IEEE (2019) 1120.
|
Tipo n/180/- |
- |
n+ poli-Si |
SiO2 ultrafino |
- |
- |
47
47 S. Mitra , H. Ghosh, H. Saha, K. Ghosh, IEEE T. Electron Dev. 66 (2019) 1368.
|
FZ tipo n/280/103 |
p+ poli-Si posterior |
poli/n a-Si: H |
Frontal: borossilicato; posterior: SiO2
|
Frontal: evaporação por feixe de elétrons Al; posterior: evaporação térmica Ag/Cr/Al |
21,0 |
48
48 G. Limodio, G. Yang, H. Ge, P. Procel, Y. De Groot, L. Mazzarella, O. Isabella, M. Zeman, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 194 (2019) 28.
|
FZ tipo n 1 Ω.cm/-/4 |
p+/p++ (B) frontal |
n+ poli-Si |
Frontal: Al2O3/SiNx; posterior: SiO2 (~1,5 nm) |
Frontal: fotolitografia; posterior: evaporação térmica Ag |
22,0 |
19
19 A. Rohatgi, K. Zhu, J. Tong, D.H. Kim, E. Reichmanis, B. Rounsaville, V. Prakash, Y.W. Ok, IEEE J. Photovolt . 10 (2020) 417.
|
Cz tipo n ~3 Ω.cm/170/244 |
p+ poli-Si |
- |
SiOx AlOx:H |
Evaporação térmica Al |
- |
49
49 X. Guo, M. Liao , Z. Rui, Q. Yang, Z. Wang, C. Shou , W. Ding, X. Luo, Y. Cao, J. Xu, L. Fu, Y. Zheng. B. Yan , J. Ye , J. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 210 (2020) 110487.
|
Cz tipo n 1-5 Ω.cm/200/- |
- |
n+ poli-Si |
SiOx
|
Serigrafia |
24,3 |
50
50 C. Park, N. Balaji, S. Ahn, J. Park, E.C. Cho, J. Yi, Sol. Energy 211 (2020) 62.
|
FZ tipo n 3 Ω.cm/180/- |
p+ (Al) |
n+ poli-Si |
AlOx/SiNx
|
Serigrafia |
19,7 |
51
51 Y. Xu , H. Shen , Z. Yang, Q. Wei, Z. Ni, S. Li , Z. Wang , B. Zhao, Sol. Energy 207 (2020) 436.
|
Tipo n/-/- |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
SiO2 SiNx:H |
Serigrafia |
- |
52
52 M. Yu, R. Zhou, P. Hamer, D. Chen, X. Zhang , P.P. Altermatt , P.R. Wilshaw, R.S. Bonilla, Sol. Energy 211 (2020) 1214.
|
Quase-mono tipo n 1.4 Ω.cm/167/246 |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
Óxido de túnel interfacial (SiO2)/SiNx
|
Frontal: Ag/Al; posterior: Ag |
23,2 |
53
53 C. Liu , D. Chen , Y. Chen , Y. Ling, Y. Zou , Y. Wang , J. Gong , Z. Feng , P. Altermatt, P.J. Verlinden, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 215 (2020) 110690.
|
Cz tipo n 5 Ω.cm/180/244 |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
Óxido de túnel interfacial (SiOx) |
Serigrafia; frontal: Ag/Al; posterior: Ag |
23,5 |
54
54 Q. Wang , W. Wu , D. Chen , L. Yuan , S. Yang, Y. Sun, S. Yang , Q. Zhang, Y. Cao , H. Qu, N. Yuan, J. Ding, Sol. Energy 211 (2020) 324.
|
Cz tipo n 0.5-2 Ω.cm/180/244 |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
Frontal: Al2O3/SiNx; posterior: SiOx
|
Screen-printed Ag |
22,4 |
55
55 Q. Wang , W. Wu , N. Yuan , Y. Li, Y. Zhang, J. Ding , Sol. Energy Mater. Sol. Cells 208 (2020) 110423.
|
Cz tipo n 1-3 Ω.cm/180/4 |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
SiO2
|
Evaporação por canhão de elétrons e eletrodeposição (frontal)/evaporação térmica (posterior) |
23,0 |
56
56 Q. Yang , M. Liao , Z. Wang , J. Zheng, X. Guo , Z. Rui , D. Huang, L. Lu, M. Feng, P. Cheng, C. Shou , Y. Zeng , B. Yan , J. Ye , Sol. Energy Mater. Sol. Cells 210 (2020) 110518.
|
Cz tipo n 5 Ω.cm/180/9 |
p+ (B) posterior |
n+ poli-Si/ITO frontal |
Frontal: SiO2; posterior: Al2O3/SiNx
|
Evaporação térmica Ag |
20,2 |
57
57 W. Yoon, D. Scheiman, Y.W. Ok , Z. Song, C. Chen, G. Jernigan, A. Rohatgi , Y. Yan, P. Jenkins, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 210 (2020) 110482.
|
Cz tipo n 3 Ω.cm/180/4 |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
Frontal: Al2O3/SiNx; posterior: SiOx
|
Frontal: Ti/Pd/Ag; posterior: Ag |
21,0 |
58
58 Y. Huang , M. Liao , Z. Wang , X. Guo , C. Jiang, Q. Yang , Z. Yuan, D. Huang , J. Yang , X. Zhang , Q. Wang , H. Jin , M. Al-Jassim , C. Shou , Y. Zeng , B. Yan , J. Ye , Sol. Energy Mater. Sol. Cells 208 (2020) 110389.
|
FZ tipo n 500 Ω.cm/298/- |
- |
- |
SiNx
|
- |
- |
59
59 G.C. Wilkes, A.D. Upadhyaya , A. Rohatgi , M.C. Gupta, in 46th Photovolt. Special. Conf., IEEE (2019) 2709.
|
FZ tipo n 500 Ω.cm/298/- |
- |
- |
SiNx
|
- |
- |
60
60 G.C. Wilkes , A.D. Upadhyaya , A. Rohatgi , M. Gupta, IEEE J. Photovolt . 10 (2020) 1283.
|
Cz tipo n/-/4 |
Camada a-Si:H dopado com B |
SiH4, B3H6, H |
Interno: SiO2; externo: SiNx
|
Evaporação térmica Ti/Ag |
- |
61
61 D.L. Young , K. Chen, S. Theingi, V. LaSalvia, D. Diercks, H. Guthrey, W. Nemeth , M. Page , P. Stradins , Sol. Energy Mater. Sol. Cells 217 (2020) 110621.
|
Tipo n 3.2 Ω.cm/190/- |
- |
n+ poli-Si |
Interno: óxido de túnel interfacial; externo: SiNx
|
- |
- |
62
62 P. Padhamnath, N. Nampalli, N. Nandakumar , J.K. Buatis, M.J. Naval, AG. Aberle, S. Duttagupta , Thin Solid Films 699 (2020) 137886.
|
Tipo n 2.8 Ω.cm/180/244 |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
Frontal: SiNx/Al2O3; posterior: iOx/SiNx
|
Evaporação Al |
- |
63
63 P. Padhamnath , A. Khanna , N. Nandakumar , N. Nampalli , V. Shanmugam , A.G. Aberle , S. Duttagupta , Sol. Energy Mater. Sol. Cells 207 (2020) 110358.
|
Cz tipo n 3.4 Ω.cm/-/228 |
p+ poli-Si |
n+ (P) |
AlOx
|
- |
- |
64
64 G. Kaur, Z. Xin , T. Dutta, R. Sridharan, R. Stangl , A. Danner, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 217 (2020) 110720.
|
Cz tipo n 1.2 Ω.cm/180/244 |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
Frontal: SiNx; posterior: SiOx
|
Evaporação térmica Ag |
27,9 sim. |
65
65 G. Kaur , Z. Xin , R. Sridharan , A. Danner , R. Stangl , Sol. Energy Mater. Sol. Cells 218 (2020) 110758.
|
Cz tipo n/-/239 |
p+ (B) |
n+ poli-Si |
Frontal: Al2O3/SiNx; posterior: Al2O3
|
Frontal: serigrafia; posterior: evaporação Ag |
20,8 |
66
66 K. Madani , A. Rohatgi , B. Rounsaville , M.G. Kang, H.E. Song, Y.W. Ok , IEEE J. Photovolt . 11 (2021) 268.
|
Cz tipo n 3 Ω.cm/180/196 |
p+ poli-Si |
n+ poli-Si |
Interno: iOx; externo: SiNx; ITO |
Serigrafia: SiNx/cura ITO |
19,6 |
67
67 X. Yan , F.B. Suhaimi, M. Xu, J. Yang , X. Zhang , Q. Wang , H. Jin , S. Duttagupta , Sol. Energy Mater. Sol. Cells 230 (2021) 111249.
|
Cz tipo n 1.2 Ω.cm/180/244 |
p+ (B) |
n+ (P) |
Frontal: p+ poli-Si/AlOx; posterior: n+ poli-Si/SiOx
|
Serigrafia; frontal: Ag/Al; posterior: Ag |
22,0 |
68
68 P. Padhamnath , A. Khanna , N. Nandakumar , A.G. Aberle , S. Duttagupta , Sol. Energy Mater. Sol. Cells 230 (2021) 111217.
|
Cz tipo n 1-3 Ω.cm/170/- |
p+ poli-Si (B) |
n+/n++ frontal |
Frontal: SiOx/SiNx/SiOx; posterior: SiO2 ultrafino |
Evaporação com canhão de elétrons |
26,0 |
69
69 Z. Liu , Z. Yang , W. Wang, Q. Yang , Q. Han, D. Ma, H. Cheng, Y. Lin, J. Zheng , W. Liu, M. Liao , H. Chen, Y. Wang , Y. Zeng , B. Yan , J. Ye , Sol. Energy 221 (2021) 1.
|